Загальні технічні характеристики
|
Специфікація
|
Параметри
|
|
|
Напруга живлення
|
10 … 30В DC; пульсації < 20%
|
|
|
Допустимий струм навантаження
|
5…150 мА макс
|
|
|
Споживаний струм
|
0,8 мА макс
|
|
|
Падіння напруги на датчику
|
4,0 В макс
|
|
|
Схема захисту
|
Захист від КЗ та переполюсування напруги живлення
|
|
|
Гістерезис
|
<10%
|
|
|
Матеріал корпусу
|
Нікельована латунь
|
|
|
Робоча температура та вологість
|
-25…+80°С; 35% … 95%
|
|
|
Клас захисту
|
IP 67
|
|

Індуктивний датчик M4, Sn=1mm, NO/PNP, кабель 2м, AB1/AP-3A Micro detectors
Індуктивний датчик M18, Sn=5mm, NO/PNP, роз'єм M12, PFK1/AP-1H M. D. Micro Detectors
Індуктивний датчик кубічний, Sn=3mm, PNP/NO, 2m кабель, IL1/AP-3A Micro detectors
Індуктивний датчик M30, Sn=10mm, NO/PNP, кабель 2m, AT1/AP-1A Micro detectors
Фотоелектричний датчик, поляризований, Sn=12m, PNP-L/D, роз'єм M12, FGRN/0P-0E Micro detectors
Фотоелектричний датчик дифузний, Sn=400mm,з регулюванням, PNP-L/D, кабель 2m, QMR7/0P-0A Micro detectors
Аналоговий індуктивний датчик M8, Sn=4mm, 0...10V, 2m кабель, AE1/D1-7A Micro Detectors
Індуктивний датчик M18, Sn=8mm, NO, 20...250Vac/50-60Hz, 2m кабель, VK2/A0-2B M.D. Micro Detectors
Індуктивний датчик кубічний, Sn=1.5mm, PNP/NO, кабель 2м, IL5/AP-3A Micro detectors 











