Фотоелектричний датчик з відображенням від об’єкта, NPN, VTE180-2N41147/6037481 SICK
від
1722,00 ₴ зПДВ* Позначка "від" означає ціна товару розрахована відносно останнього постачання.
При замовленні уточнюйте актуальну ціну у менеджера та термін постачання.
Доступно за замовленням
Фотоелектричний датчик з відображенням від об’єкта, NPN, VTE180-2N41147/6037481 SICK
| Тип пристрою | Фотоелектричні датчики |
| Розміри (Ш x В x Г) | 18 мм x 18 мм x 62,5 мм |
| Дизайн корпусу (випромінювання світла) | Циліндричні |
| Довжина корпусу | 62,5 мм |
| Діаметр різьби (корпус) | M18 x 1 |
| Оптична вісь | Осьовий |
| Діапазон чутливості макс. | 1 мм … 500 мм 1) |
| Діапазон зондування | 1 мм … 350 мм 1) |
| Фокус | прибл. 1,5° |
| Тип світла | Видиме червоне світло |
| Джерело світла | світлодіод 2) |
| Розмір світлової плями (відстань) | Ø 20 мм (400 мм) |
| Кут розсіювання | прибл. 1,5° |
| Довжина хвилі | 645 нм |
| коригування | Потенціометр, 270° (діапазон чутливості) |
- 1) Об’єкт із 90% ремісією (на основі стандартного білого, DIN 5033).
- 2) Середній термін служби: 100 000 год при T U = +25 °C.
| Напруга живлення | 10 В постійного струму … 30 В постійного струму 1) |
| пульсація | ± 10 % 2) |
| Поточне споживання | 30 мА 3) |
| Комутаційний вихід | NPN 4) |
| Режим перемикання | Перемикання світло/темрява 4) |
| Селектор режимів перемикання | Вибір за допомогою кабелю керування L/D |
| Напруга сигналу NPN HIGH/LOW | прибл. V S / < 1,8 В |
| Вихідний струм I макс. | ≤ 100 мА |
| Час реакції | ≤ 0,5 мс 5) |
| Частота перемикання | 1000 Гц 6) |
| Тип підключення | Кабель 4-жильний 2 м 7) |
| Матеріал кабелю | ПВХ |
| Переріз провідника | 0,18 мм² |
| Діаметр кабелю | Ø 3,8 мм |
| Захист ланцюга | A 8)
B 9) D 10) |
| Клас захисту | III |
| вага | 62 г |
| Матеріал корпусу | Пластик, PBT/PC |
| Матеріал оптики | Пластик, ПММА |
| Рейтинг корпусу | IP67 |
| Предмети в комплекті | Кріпильні гайки (2 x) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –25 °C … +55 °C |
| Температура навколишнього середовища, зберігання | –40 °C … +70 °C |
- 1) Граничні значення при експлуатації в захищеній від короткого замикання мережі: макс. 8 А.
- 2) Не може перевищувати або опускатися нижче допусків U v .
- 3) Без навантаження.
- 4) Провід керування розімкнено: вмикання світла L.ON.
- 5) Час проходження сигналу з резистивним навантаженням.
- 6) Зі співвідношенням світло/темно 1:1.
- 7) Не згинайте нижче 0 °C.
- 8) A = V S з’єднання із захистом від зворотної полярності.
- 9) B = входи та вихід захищені від зворотної полярності.
- 10) D = виходи захищені від перевантаження по струму та короткого замикання.
Будьте першим, хто залишив відгук “Фотоелектричний датчик з відображенням від об’єкта, NPN, VTE180-2N41147/6037481 SICK”“
Схожі товари
Фотоелектричні датчики
Фотоелектричні датчики
Фотоелектричні датчики
Фотоелектричний датчик дифузний, Sn=100mm, NO/PNP, роз’єм M12, PS2/AP-0E M. D. Micro Detectors
Фотоелектричні датчики
Фотоелектричний датчик M18, дифузний, Sn=400mm, NPN/PNP-NO/NC, роз’єм M12, MS6/00-0E Micro detectors
Фотоелектричні датчики
Оптичний датчик приймач, Sn= 30m, кабель, FLID/DP-0C M.D. Micro Detectors
Фотоелектричні датчики
Фотоелектричні датчики
Фотоелектричний датчик, поляризований, Sn=12m, PNP-L/D, роз’єм M12, FGRN/0P-0E Micro detectors
Фотоелектричні датчики
Відгуки
Відгуків немає, поки що.